Research and
development innovation

研發創新

世界領先的多晶矽製造技術

協鑫科技在具有自主知識產權的多晶矽生產科技上,突破性地採用矽烷流化床法(FBR)生產顆粒矽,矽烷轉化率接近百分之百。 與改良西門子法相比,FBR法具有低能耗、低成本等優勢,生產的顆粒矽產品無需破碎、流動性好,能更好滿足RCz法或CCz法直拉單晶矽工藝。

高品質顆粒矽,滿足單晶用料需求

可連續生產,產品無需破碎,不引入二次污染

單套反應器年產能達五千噸、世界先進水準的流化床反應系統

協鑫科技創新研發GCL法多晶矽生產科技,該科技能够更高效地利用三氯氫矽,相比傳統西門子法,產品製造全流程綠色環保。

全閉環多晶矽製備技術

世界先進的GCL法多晶矽生產工藝

單套年產能25萬噸、世界先進水準的冷氫化系統

CCz技術研發(連續直拉單晶矽技術)

協鑫科技CCz單臺拉晶爐單產可達到185kg/d(仟克/天),已實現200MW中試產能。隨著N型單晶和大直徑單晶的規模化推廣,CCz的技術優勢將會更加凸顯。

CCz科技拉制的單晶矽棒電阻率非常集中,在未來的N型電池市場,CCz具有明顯的科技優勢

採用連續加料的管道,單爐產量比RCz科技高20%以上,生產成本降低10%。

單套年產能25萬噸、世界先進水準的冷氫化系統

金剛線切片薄片化技術

持續探底矽片的切片線徑,實現工藝突破,降低矽料成本,增加單位出片數量。

大尺寸矽片切割技術

升級設備結構、優化產線工藝,以完全匹配M12大矽片加工尺寸的技術要求,實現M12矽片從設備到工藝的全流程開發。

切片加工區域,實現區間可調設計方案,匹配不同尺寸矽棒的切片加工

協鑫科技獨家開發“反切反”大尺寸切片技術,攻克大矽片鋼線切割難度高、矽片精度差、加工良率低的技術難點

通過對大矽片的關鍵配套輔材開發,以提高切割效率,降低切割消耗。

科研基地

  • 徐州研發中心
  • 美國研發中心
  • 蘇州研發中心

徐州研發中心

美國研發中心

蘇州研發中心

科研團隊

協鑫科技的科研團隊擁有世界優秀的光伏專家和學者,並形成了以中外專家為科技帶頭人、具有深厚海外研究背景的青年學者為骨幹力量、著名高校畢業的博士、碩士為後備力量的三級技術人才梯隊。協鑫科技還將繼續在全球範圍內吸引一流人才,致力於打造世界一流的研發團隊,重視各類研發人員的引進與培養,為研發人員搭建廣闊的成長和發展平台。

國家地方聯合工程研究中心

國家級博士後科研工作站

江蘇省矽基電子材料重點實驗室

CNAS認證的GCL檢測技術中心

其他技術中心還有:

省石英坩堝工程研究中心 省多晶黑矽片工程技術研究中心 省氯氫化技術工程中心 省多晶矽材料工程技術研究中心 省方矽芯工程技術研究中心

技術成果

協鑫科技累計申報發明、實用新型專利1100餘項,其中授權專利超過650多項,涉及流化床顆粒矽、改良西門子多晶矽生產方法、高效多晶、鑄錠單晶、連續直拉單晶(CCz)、矽片切割工藝等各個技術領域。多項核心發明專利的授權為GCL的自主知識產權保護提供了有力支持,其中相關科技成果榮獲中國專利獎2項、江蘇省科學技術獎5項

科技交流

GCL-Poly has established and maintained long-term and stable cooperative relationships with international and domestic first-class universities and research institutions. Through the extensive exchange and cooperation, our company will always maintain the vitality of scientific and technological innovation.

我們的友好交流及合作單位有:

  • 中國科學院
  • 東南大學
  • 清華大學
  • 浙江大學
  • 武漢大學
  • 南京大學

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