Research and
development innovation
研发创新
世界领先的多晶硅制造技术
高品质颗粒硅，满足单晶用料需求
可连续生产，产品无需破碎，不引入二次污染
单套反应器年产能达五千吨、世界先进水平的流化床反应系统
全闭环多晶硅制备技术
世界先进的GCL法多晶硅生产工艺
单套年产能25万吨、世界先进水平的冷氢化系统
钙钛矿前沿技术
协鑫科技子公司昆山协鑫光电材料有限公司1mx2m的全球最大尺寸钙钛矿组件已顺利下线。当前公司大面积钙钛矿组件光电转换效率已达16%，2023年底有望突破18%。
电子级多晶硅业务
协鑫科技与国家集成电路产业投资基金股份有限公司共同发起设立的江苏鑫华半导体科技股份有限公司，成为迄今国内规模最大的半导体产业用电子级多晶硅生产企业，大规模集成电路用电子级多晶硅打破了国外技术及市场垄断，填补国内行业空白。
CCz技术研发（连续直拉单晶硅技术）
协鑫科技CCz单台拉晶炉单产可达到185kg/d（千克/天），已实现200MW中试产能。随着N型单晶和大直径单晶的规模化推广，CCz的技术优势将会更加凸显。
CCz技术拉制的单晶硅棒电阻率非常集中，在未来的N 型电池市场，CCz 具有明显的技术优势
采用连续加料的方式，单炉产量比RCz技术高20%以上，生产成本降低10%。
单套年产能25万吨、世界先进水平的冷氢化系统
金刚线切片薄片化技术
持续探底硅片的切片线径，实现工艺突破，降低硅料成本，增加单位出片数量。大尺寸硅片切割技术
升级设备结构、优化产线工艺，以完全匹配M12大硅片加工尺寸的技术要求，实现M12硅片从设备到工艺的全流程开发。
切片加工区域，实现区间可调设计方案，匹配不同尺寸硅棒的切片加工
协鑫科技独家开发“反切反”大尺寸切片技术，攻克大硅片钢线切割难度高、硅片精度差、加工良率低的技术难点
通过对大硅片的关键配套辅材开发，以提高切割效率，降低切割消耗。
科研基地
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徐州研发中心 -
美国研发中心 -
苏州研发中心
徐州研发中心
美国研发中心
苏州研发中心
科研团队
协鑫科技的科研团队拥有世界优秀的光伏专家和学者，并形成了以中外专家为科技带头人、具有深厚海外研究背景的青年学者为骨干力量、著名高校毕业的博士、硕士为后备力量的三级技术人才梯队。协鑫科技还将继续在全球范围内吸引一流人才，致力于打造世界一流的研发团队，重视各类研发人员的引进与培养，为研发人员搭建广阔的成长和发展平台。
国家地方联合工程研究中心
国家级博士后科研工作站
江苏省硅基电子材料重点实验室
CNAS认证的GCL检测技术中心
其他技术中心还有：
省石英坩埚工程研究中心 省多晶黑硅片工程技术研究中心 省氯氢化技术工程中心 省多晶硅材料工程技术研究中心 省方硅芯工程技术研究中心
协鑫科技累计申报发明、实用新型专利1100余项，其中授权专利超过650多项，涉及流化床颗粒硅、改良西门子多晶硅生产方法、高效多晶、铸锭单晶、连续直拉单晶（CCz）、硅片切割工艺等各个技术领域。 多项核心发明专利的授权为GCL的自主知识产权保护提供了有力支持，其中相关科技成果荣获中国专利奖2项、江苏省科学技术奖5项
科技交流
协鑫科技与国际、国内一流的大学、研究机构建立和保持长期稳固的合作关系，
通过开展广泛交流合作，始终保持科技创新的活力。
我们的友好交流及合作单位有：
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中国科学院 -
东南大学 -
清华大学 -
浙江大学 -
武汉大学 -
南京大学
